مشخصات

سته بندی محصولات: MOSFET
RoHS: جزئیات
فناوری: Si
سبک نصب: از طریق سوراخ
بسته بندی / مورد: TO-247-3
قطب ترانزیستور: کانال N
تعداد کانال ها: 1 کانال
Vds - ولتاژ خرابی منبع تخلیه: 500 ولت
Id - جریان تخلیه مداوم: 20 A
Rds On - مقاومت در برابر منبع تخلیه: 270 میلی آمپر
Vgs - ولتاژ منبع گیت: - 20 ولت ، + 20 ولت
Vgs th - ولتاژ آستانه Gate-Source: 2 ولت
Qg - شارژ دروازه: 210 nC
حداقل دمای کار: - 55 درجه سانتیگراد
حداکثر دما: + 150 درجه سانتیگراد
Pd - اتلاف انرژی: 280 W
حالت کانال: پیشرفت
بسته بندی: لوله
پیکربندی: تنها
سری: IRFP
نوع ترانزیستور: 1 کانال N
مارک: نیمه هادی های Vishay
انتقال به جلو - حداقل: 13 ثانیه
زمان سقوط: 58 بار
نوع محصول: ماسفت
زمان ظهور: 59 بار
زیر مجموعه: ماسفت ها