یکسو کننده
دسته بندی محصولات: MOSFET
RoHS: جزئیات
فناوری: Si
سبک نصب: از طریق سوراخ
بسته بندی / مورد: TO-220-3
قطب ترانزیستور: کانال N
تعداد کانال ها: 1 کانال
Vds - ولتاژ خرابی منبع تخلیه: 55 ولت
Id - جریان تخلیه مداوم: 110 A
Rds On - مقاومت در برابر منبع تخلیه: 8 میلی آمپر
Vgs - ولتاژ منبع گیت: - 20 ولت ، + 20 ولت
Vgs th - ولتاژ آستانه Gate-Source: 2 ولت
Qg - شارژ دروازه: 97.3 nC
حداقل دمای کار: - 55 درجه سانتیگراد
حداکثر دما: + 175 درجه سانتیگراد
Pd - اتلاف انرژی: 150 وات
حالت کانال: پیشرفت
بسته بندی: لوله
پیکربندی: تنها
ارتفاع: 15.65 میلی متر
طول: 10 میلی متر
نوع ترانزیستور: 1 کانال N
عرض: 4.4 میلی متر
نوع محصول: ماسفت
زیر مجموعه: ماسفت ها